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厚膜混合集成电路

产品详情

厚膜混合集成电路(THIC)是混合集成电路的一种。

1.集成电路是微电子技术的一个方面,它以特定的工艺在单独的基片之上(之内)形成并互连有关元器件,构成微型电子电路,从而完成某种电子电路功能,它按制作工艺分为三类:半导体集成电路、厚膜集成电路和薄膜集成电路。

2.厚膜集成电路是采用丝网印刷、烧结或聚合等厚膜技术将组成电路的元器件及其连线以厚膜的形式制作在绝缘基片上所构成的整体电路。膜的厚度一般为几至几十微米。

3.厚膜混合集成电路是在上述三种集成电路的基础上,发展了在单独的绝缘基片上,用厚膜技术制作膜式元件和互连导线,采用厚膜组装技术外贴微型晶体管、单片半导体集成电路等器件和其他无源器件,形成具有一定功能的微电路。

4.厚膜混合集成电路与PCB相比较,具有元件参数范围广,精度和稳定性高,元件间绝缘良好,高频特性好,易于制作高压、大电流、大功率、耐高温和抗辐射电路,电路设计的灵活性大,研制周期短,适合多品种、小批量制作等特点,广泛应用于航空航天、计算机、汽车、通讯、仪器仪表、电源、消费类等各种电子产品中。

5.THIC的应用特征:

a. 可与IC芯片进行二次集成,制作多功能的组件。

b. 由于印刷元件能承受的比负荷功率大,基片的导热率高,组件具有较大的功率负载能力,适应于大功率和高压电路。

c. 可以用多层布线基片,互连线短,信号延迟减小,应用于计算机。

d. 封装?樵诠ひ丈秆」讨邪言缙谑У缏诽蕹,与单片IC相比,可靠性高。

e. 封装?樵诜莱、抗腐蚀性、防锈方面都比单片IC有很大提高。

f. 可应用表面封装工艺与片式元器件组合,生产自动化水平高。

传感器特点

一、基板(96%氧化铝陶瓷)特性

1、最大尺寸(mm): 150×150 可依用户需要定制
2、厚度(mm):一般为0.635、0.762、1.016 可依用户需要定制
3、抗弯强度(MPa):≥300
4、热膨胀系数(20-800℃):6.5-8.0 ×10-6mm/℃
5、热导率(20℃):≥20 W/(m.K)
6、介电常数(1MHZ):9.3-10.6
7、介质损耗(1MHZ):3×10-4
8、体积电阻率(20℃):≥1014
9、体积密度(g/cm3):≥3.70
10、粗糙度(μm):0.20-0.75
11、翘曲度(mm):每10mm为0.03

二、导带制作

1、最小线宽:0.10mm 最小线距:0.10mm
2、电阻率(烧结厚度为12μm):6—13 mΩ/□
3、抗焊性(浸入230℃锡/铅/银焊剂中10秒):3-5次
4、粘着力:初始35N,150℃下1000小时后30N
5、双面印刷,通孔技术,金导带制作
6、多层导带交叉制作

三、电阻制作

1、阻值范围:10 mΩ—10 MΩ
2、电阻精度(中阻):可达到0.1%,一般≤1%
3、电阻稳定性(中阻):125℃下72小时后阻漂<0.3%
4、电阻温度系数(中阻):0±100ppm/℃

四、绝缘介质制作

1、介电常数: 9—10
2、绝缘电阻: > 1012Ω
3、击穿电压: 600V/25μm

五、表面贴装

1、焊盘附着力:初始35N,150℃下1000h后30N
2、双面贴装 双面焊接
3、SMD/SMC或整型后的THT元器件
4、裸芯片

六、焊接形式

1、再流焊
2、金丝球焊或硅铝丝焊
3、热风回流焊

七、引线形式

1、双列直插(F型)
2、单列直插(H型、Y型)
3、直接引线

八、封装形式

1、全密封(材料为金属、玻璃或陶瓷)
2、半密封(材料为树脂)

主要应用

广泛应用于航空航天、计算机、汽车、通讯、仪器仪表、电源、消费类等各种电子产品中。

技术指标

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